以下不是晶体三极管实现电流放大作用的条件之一的是（ ）。
A: 发射区的掺杂浓度高
B: 集电区的面积大
C: 基区尽可能地厚
D: 发射结正偏，集电结反偏。
A: 发射区的掺杂浓度高
B: 集电区的面积大
C: 基区尽可能地厚
D: 发射结正偏，集电结反偏。
C
举一反三
- 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。 A: 内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度 B: 内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度 C: 外部条件，发射结正偏，集电结反偏 D: 外部条件，发射结反偏。集电结反偏
- 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。 A: A内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度 B: B内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度 C: C外部条件，发射结正偏，集电结反偏 D: D外部条件，发射结反偏。集电结反偏
- 晶体三极管具有电流放大作用，主要是因为（ ）。 A: 集电结反偏 B: PN结的单向导电性 C: 发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄 D: 发射结正偏
- 晶体三极管具有电流放大作用，主要是因为（ ）。 A: 集结反偏 B: PN结的单向导电性 C: 发射区具有高掺杂浓度且基区很薄 D: 发射结正偏
- 晶体三极管具有电流放大作用，主要是因为（ ）。 A: 发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄 B: PN结的单向导电性 C: 集结反偏 D: 发射结正偏
内容
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晶体三极管具有电流放大作用，主要是因为（ ）。 A: 发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄 B: PN结的单向导电性 C: 集结反偏 D: 发射结正偏
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晶体三极管具有电流放大作用，主要是因为（ ）。 A: 发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄 B: PN结的单向导电性 C: 集结反偏 D: 发射结正偏
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晶体三极管具有电流放大作用，主要是因为（ ）。 A: 发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄 B: PN结的单向导电性 C: 集结反偏 D: 发射结正偏
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晶体三极管具有电流放大作用，主要是因为（ ）。 A: 发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄 B: PN结的单向导电性 C: 集结反偏 D: 发射结正偏
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双极型三极管的电流放大作用需具备什么外部条件？ A: 发射结反偏，集电结正偏 B: 发射结正偏，集电结反偏 C: 发射结正偏，集电结正偏 D: 发射结反偏，集电结反偏