晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。
A: A内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
B: B内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
C: C外部条件，发射结正偏，集电结反偏
D: D外部条件，发射结反偏。集电结反偏
A: A内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
B: B内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
C: C外部条件，发射结正偏，集电结反偏
D: D外部条件，发射结反偏。集电结反偏
举一反三
- 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。 A: A内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度 B: B内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度 C: C外部条件，发射结正偏，集电结反偏 D: D外部条件，发射结反偏。集电结反偏
- 三极管放大的内部条件是：发射区掺杂浓度高、基区薄且掺杂浓度低集电结面积大；外部条件是 和 。
- 晶体三极管具有电流放大作用，主要是因为（ ）。 A: 集电结反偏 B: PN结的单向导电性 C: 发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄 D: 发射结正偏
- 以下不是晶体三极管实现电流放大作用的条件之一的是（ ）。 A: 发射区的掺杂浓度高 B: 集电区的面积大 C: 基区尽可能地厚 D: 发射结正偏，集电结反偏。
- 对于PNP晶体管,以下 条件不利于实现放大 A: 发射结正偏 B: Wb << Lpb C: 发射区重掺杂 D: 集电结反偏 E: 基区重掺杂