采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界处就形成了（ ）。
A: 电子
B: 空穴
C: 扩散区
D: PN结
A: 电子
B: 空穴
C: 扩散区
D: PN结
举一反三
- 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
- 将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成了PN结，PN结具有单向导电性的特点（）
- 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界面形成空间电荷区称为（）。
- 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将（ ）半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
- 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体和N型半导体制作的.在同一块硅片上，在他们的交界面形成PN结。PN结具有（） A: 双向导电性 B: 单向导电性 C: 强导电性 D: 绝缘性