采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将（ ）半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
举一反三
- 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
- 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界面形成空间电荷区称为（）。
- 在同一块半导体基片上，通过不同的掺杂工艺制成P型半导体和N型半导体，在它们的交界面处会形成特殊物理层，称为（ ）。A.PN结
- 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界处就形成了（ ）。 A: 电子 B: 空穴 C: 扩散区 D: PN结
- 在一块完整的半导体的晶片上（通常是硅或锗），通过掺杂工艺,一边掺入3价元素形成N型半导体,另一边掺入5价元素形成形成P型半导体,那么在这种半导体的交界面附近就形成了PN结。（）