采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将（ ）半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
P型
举一反三
- 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
- 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界面形成空间电荷区称为（）。
- 在同一块半导体基片上，通过不同的掺杂工艺制成P型半导体和N型半导体，在它们的交界面处会形成特殊物理层，称为（ ）。A.PN结
- 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界处就形成了（ ）。 A: 电子 B: 空穴 C: 扩散区 D: PN结
- 在一块完整的半导体的晶片上（通常是硅或锗），通过掺杂工艺,一边掺入3价元素形成N型半导体,另一边掺入5价元素形成形成P型半导体,那么在这种半导体的交界面附近就形成了PN结。（）
内容
- 0
同一片半导体基片上,分别制造P型半导体和N型半导体,在它们的交界面处形成的特殊区域称为PN结。
- 1
将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成了PN结，PN结具有单向导电性的特点（）
- 2
采用不同的掺杂工艺，将P型半导体和N型半导体制作的.在同一块硅片上，在他们的交界面形成PN结。PN结具有（） A: 双向导电性 B: 单向导电性 C: 强导电性 D: 绝缘性
- 3
在一块本征半导体上,通过特殊的加工工艺使其一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体,P型半导体和N为型半导体的交界处所形成的很薄的空间电荷区,就是PN结。
- 4
在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了（