采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界面形成空间电荷区称为()。
举一反三
- 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
- 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将( )半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
- 在同一块半导体基片上,通过不同的掺杂工艺制成P型半导体和N型半导体,在它们的交界面处会形成特殊物理层,称为( )。A.PN结
- 同一片半导体基片上,分别制造P型半导体和N型半导体,在它们的交界面处形成的特殊区域称为PN结。
- 采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界处就形成了( )。 A: 电子 B: 空穴 C: 扩散区 D: PN结