三极管内部结构的特点是：A、基区薄 B、发射区掺杂浓度大 C、集电区接收面积大 D、其它
A: 基区薄
B: 发射区掺杂浓度大
C: 集电区接收面积大
D: 其它
A: 基区薄
B: 发射区掺杂浓度大
C: 集电区接收面积大
D: 其它
A,B,C
举一反三
- BJT的内部结构特点如下:() A: 发射区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，集电区面积大且掺杂较发射区轻; B: 集电区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较集电区轻; C: 基区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较基区轻; D: 发射区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，基区面积大且掺杂较发射区轻。
- BJT的结构特点 A: 基区很薄，而且掺杂浓度很低。 B: 发射区掺杂浓度低于集电区。 C: 集电区的面积大于发射区。 D: 集电区的面积小于发射区。 E: 发射区掺杂浓度高于集电区。 F: 基区很薄，而且掺杂浓度很高。
- 晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。
- 三极管正常工作的内部条件，以下叙述不正确的是：（ ） A: 基区很薄 B: 基区掺杂浓度低 C: 发射区和集电区掺杂同类型杂质，且集电区杂质浓度高 D: 集电区的面积比发射区面积大
- 关于BJT的结构特点说法错误的是（）。 A: 基区很薄且掺杂浓度很低 B: 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 C: 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 D: 集电区面积大于发射区面积
内容
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三极管有三个区：发射区、基区和集电区，其中发射区应满足掺杂浓度低而且要薄
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关于BJT的结构特点，以下说法错误的是( ) A: A. 基区很薄，掺杂浓度很低 B: 发射区的掺杂浓度远大于集电区 C: 基区的掺杂浓度远大于集电区 D: 集电区面积大于发射区面积
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为什么晶体三极管发射区要高掺杂,基区薄且低掺杂,集电结面积大且集电区低掺杂呢?{
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晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。 A: 正确 B: 错误
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中国大学MOOC: 晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。