用E0表示真空中静止电子的能量，半导体中电子亲合能为：
A: E0与半导体费米能级之差
B: E0与半导体本征费米能级之差
C: E0与半导体价带顶之差
D: E0与半导体导带底之差
A: E0与半导体费米能级之差
B: E0与半导体本征费米能级之差
C: E0与半导体价带顶之差
D: E0与半导体导带底之差
举一反三
- 半导体的功函数定义为真空能级E0和（ ）之差? ;Ev|Eg|;Ec|费米能级
- 半导体的功函数定义为真空能级E0和半导体费米能级之差，对于n型硅半导体杂质浓度越高功函数（ ） A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 不确定
- 下列关于外光电效应表述正确的是： A: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和； B: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量； C: 对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差； D: 对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
- 当导体达到静电平衡状态时，其场强的特征是：( ) A: 外电场E0消失。 B: 感应电荷产生的电场E'为零。 C: 导体内部合场强 E内 = E0 + E'=0。 D: 导体表面和内部场强均为零。
- 真空能级和半导体的费米能级之差定义为电子亲和势。 A: 正确 B: 错误