奥氏体晶粒越细，则（）。
A: A晶界面越多，形核率越高，冷却后的组织越细小
B: B晶界面越多，形核率越低，冷却后的组织越细小
C: C晶界面越多，形核率越高，冷却后的组织越粗大
D: D晶界面越少，形核率越高，冷却后的组织越细小
A: A晶界面越多，形核率越高，冷却后的组织越细小
B: B晶界面越多，形核率越低，冷却后的组织越细小
C: C晶界面越多，形核率越高，冷却后的组织越粗大
D: D晶界面越少，形核率越高，冷却后的组织越细小
A
举一反三
- 奥氏体晶粒越细，则（）。 A: A晶界面越多，形核率越高，冷却后的组织越细小 B: B晶界面越多，形核率越低，冷却后的组织越细小 C: C晶界面越多，形核率越高，冷却后的组织越粗大 D: D晶界面越少，形核率越高，冷却后的组织越细小
- 形核率越高、长大速度越小，则结晶后的晶粒越细小。
- 3. 原始晶粒越细，再结晶速度将：(A) 越快 (B) 不影响 (C) 不确定 (D) 越慢 A: 原始晶粒越细，晶界越多，位错越多，形核越多，再结晶速度越快。 B: 原始晶粒越细，晶界越多，位错越多，形核越多，再结晶速度越快。 C: 原始晶粒越细，晶界越多，位错越多，形核越多，再结晶速度越快。 D: 原始晶粒越细，晶界越多，位错越多，形核越多，再结晶速度越快。
- 奥氏体晶粒越粗大，则冷却后所形成的组织也越细小。
- 晶界面是位错运动的障碍，因而晶粒越细小，晶界越多，位错被阻滞的地方就越多，多晶体的强度就 A: 越高 B: 越低 C: 不确定
内容
- 0
原始晶粒越细，形变抗力越大，储存能越高；另晶界越多，有利于形核，再结晶温度越高。
- 1
在热处理过程中，加热速度越快，奥氏体晶粒越粗大；原始组织越粗大，相的界面越多，奥氏体晶核数目也越多，有利于获得细小组织；
- 2
奥氏体晶粒越细小，冷却后产物的组织一般也细小。
- 3
晶界越多，晶粒越细小，细晶强化效果越明显。
- 4
将钢加热到奥氏体区，加热温度越高，则形核率越大，起始晶粒越细小，如果保温时间足够长，则加热温度越高得到的实际晶粒越粗大。