奥氏体晶粒越细，则（）。
A: A晶界面越多，形核率越高，冷却后的组织越细小
B: B晶界面越多，形核率越低，冷却后的组织越细小
C: C晶界面越多，形核率越高，冷却后的组织越粗大
D: D晶界面越少，形核率越高，冷却后的组织越细小
A: A晶界面越多，形核率越高，冷却后的组织越细小
B: B晶界面越多，形核率越低，冷却后的组织越细小
C: C晶界面越多，形核率越高，冷却后的组织越粗大
D: D晶界面越少，形核率越高，冷却后的组织越细小
举一反三
- 奥氏体晶粒越细，则（）。 A: A晶界面越多，形核率越高，冷却后的组织越细小 B: B晶界面越多，形核率越低，冷却后的组织越细小 C: C晶界面越多，形核率越高，冷却后的组织越粗大 D: D晶界面越少，形核率越高，冷却后的组织越细小
- 形核率越高、长大速度越小，则结晶后的晶粒越细小。
- 3. 原始晶粒越细，再结晶速度将：(A) 越快 (B) 不影响 (C) 不确定 (D) 越慢 A: 原始晶粒越细，晶界越多，位错越多，形核越多，再结晶速度越快。 B: 原始晶粒越细，晶界越多，位错越多，形核越多，再结晶速度越快。 C: 原始晶粒越细，晶界越多，位错越多，形核越多，再结晶速度越快。 D: 原始晶粒越细，晶界越多，位错越多，形核越多，再结晶速度越快。
- 奥氏体晶粒越粗大，则冷却后所形成的组织也越细小。
- 晶界面是位错运动的障碍，因而晶粒越细小，晶界越多，位错被阻滞的地方就越多，多晶体的强度就 A: 越高 B: 越低 C: 不确定