外光电效应中光电子产生的条件是
A: hγ=WΦ（光子能量=逸出功)
B: hγΦ（光子能量<逸出功)
C: hγ>WΦ（光子能量>逸出功)
D: hγ>EA（光子能量=电子亲和势)
A: hγ=WΦ（光子能量=逸出功)
B: hγΦ（光子能量<逸出功)
C: hγ>WΦ（光子能量>逸出功)
D: hγ>EA（光子能量=电子亲和势)
举一反三
- 外光电效应的原理是?() A: 吸收光子能量,产生载流子 B: 吸收光子能量,产生光电子 C: 吸收光子能量,电子获得大于逸出功能量而逸出物质表面 D: 吸收光子能量,产生光电势
- 下列关于光电发射效应的逸出功说法错误的是： A: 一般要发生光电发射效应，入射光子的能量有一个要求，必须大于光电材料的逸出功。 B: 电子从发射中心激发到导带所需要的能量越高，逸出功越大。 C: 材料的亲和势越高，逸出功越大。 D: 发射的光电子的初动能越大，逸出功越大。
- 光照射到金属上，要产生光电效应，入射光必须 A: 光子的,频率大于金属的逸出功 B: 光子的能量大于金属的逸出功 C: 光子的密度大于金属中电子的密度 D: 光子的速度大于金属的逸出功
- 入射光子能量大于自由电子的逸出功时，才会发生外光电效应。
- 按照爱因斯坦光子学说,一个光子的能量: A: E=h+υ（光子能量=普朗克常量+光的频率） B: E=hυ（光子能量=普朗克常量×光的频率） C: E=h/υ（光子能量=普朗克常量/光的频率） D: E=h-υ（光子能量=普朗克常量-光的频率）