下列关于光电发射效应的逸出功说法错误的是：
A: 一般要发生光电发射效应，入射光子的能量有一个要求，必须大于光电材料的逸出功。
B: 电子从发射中心激发到导带所需要的能量越高，逸出功越大。
C: 材料的亲和势越高，逸出功越大。
D: 发射的光电子的初动能越大，逸出功越大。
A: 一般要发生光电发射效应，入射光子的能量有一个要求，必须大于光电材料的逸出功。
B: 电子从发射中心激发到导带所需要的能量越高，逸出功越大。
C: 材料的亲和势越高，逸出功越大。
D: 发射的光电子的初动能越大，逸出功越大。
举一反三
- 光电阴极中因电子热能大于逸出功而产生的发射称为（）
- 关于光电效应，下列说法中唯一正确的是? 入射光强度越大, 光电子的初动能越大|入射光强度越大, 遏止电压越高|金属的逸出功越大, 产生光电子所需的时间越长|金属的逸出功越大, 光电效应的红限频率越高
- 对于光电发射效应，下列说法不正确的是（） A: 光电发射效应，又称外光电效应 B: 金属光电发射量子效率都很低，且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区 C: 半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料（NEA） D: 良好的光电发射体，应该具备的基本条件之一是表面势垒高
- 外光电效应中光电子产生的条件是 A: hγ=WΦ（光子能量=逸出功) B: hγΦ（光子能量<逸出功) C: hγ>WΦ（光子能量>逸出功) D: hγ>EA（光子能量=电子亲和势)
- 爱因斯坦发现的光电发射定律揭示了光与物质的哪些物理问题 A: 光具有粒子性 B: 光具有波动性 C: 光电发射与入射光波长有关 D: 光电发射的截止波长与材料的表面逸出功有关