关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-05 DMOSFET在栅源电压为0时，漏区与源区之间依然有导电沟道存在。 DMOSFET在栅源电压为0时，漏区与源区之间依然有导电沟道存在。 答案： 查看 举一反三 DMOSFET在栅源电压为0时，漏区与源区之间依然有导电沟道存在。 A: 正确 B: 错误 当栅源电压为0V时，存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流 当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流 中国大学MOOC:"当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。"; 当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。 A: N沟道耗尽型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: P沟道增强型
