DMOSFET在栅源电压为0时,漏区与源区之间依然有导电沟道存在。
DMOSFET在栅源电压为0时,漏区与源区之间依然有导电沟道存在。
下列电力电子器件属于全控型器件的是()。 A: ASCR B: BGTO C: CGTR D: DMOSFET E: EIGBT
下列电力电子器件属于全控型器件的是()。 A: ASCR B: BGTO C: CGTR D: DMOSFET E: EIGBT
具有信号隔离功能的器件有()。 A: AIGBT(绝缘栅双极晶体管) B: B继电器 C: C光电耦合器 D: DMOSFET
具有信号隔离功能的器件有()。 A: AIGBT(绝缘栅双极晶体管) B: B继电器 C: C光电耦合器 D: DMOSFET
DMOSFET在栅源电压为0时,漏区与源区之间依然有导电沟道存在。 A: 正确 B: 错误
DMOSFET在栅源电压为0时,漏区与源区之间依然有导电沟道存在。 A: 正确 B: 错误
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