由于JFET与耗尽型MOSFET同属于耗尽型,因此在正常放大时,加于它们栅、源极间的电压uGS只允许一种极性
错
举一反三
- 下面关于绝缘栅场效应管描述正确的是（ ）。 A: 耗尽型MOSFET的导电沟道，在未加入栅源电压时是不存在的； B: 增强型MOSFET的导电沟道，只有当栅源电压超过某个阈值时才会出现； C: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须小于零 D: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须大于零
- JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时存在导电沟道
- 中国大学MOOC:"作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。";
- 对于耗尽型绝缘栅场效应管，只有当栅—源极之间加正向电压即UGS〉0时，才存在导电沟道。
- 【单选题】各种类型FET的输出特性曲线如下图(a)、(b)、(c)所示,由此可判断出各管的类型分别为()。 A. N沟道JFET,N沟道增强型MOSFET,P沟道耗尽型MOSFET; B. N沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道耗尽型MOSFET; C. N沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道增强型MOSFET; D. P沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道增强型MOSFET
内容
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各种类型FET的输出特性曲线如下图(a)、(b)、(c)所示,由此可判断出各管的类型分别为()。[img=608x522]17e0b23bdc0bc39.jpg[/img] A: N沟道JFET,N沟道增强型MOSFET,P沟道耗尽型MOSFET B: N沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道耗尽型MOSFET C: N沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道增强型MOSFET D: P沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道增强型MOSFET
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作为放大器件工作时，耗尽型NMOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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在MOSFET放大电路中，当vGS为正值时， 电路不可能正常放大。 A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET
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N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（）
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下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有 。 A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET E: N沟道结型场效应管