在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( )
A: 温度
B: 光照
C: 掺入杂质的数量
D: 本征激发的程度
A: 温度
B: 光照
C: 掺入杂质的数量
D: 本征激发的程度
举一反三
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 掺入杂质浓度 C: 本征激发 D: 杂质类型
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要决定于；而少数载流子的浓度与 密切相关。（ ） A: 掺入的杂质半导体；温度 B: 温度；掺入的杂质半导体 C: 温度；温度 D: 掺入的杂质半导体；掺入的杂质半导体
- 半导体中的多数载流子是 形成的。 A: 掺入杂质 B: 本征激发
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于 。 A: 杂质浓度 B: 温度 C: 本征半导体 D: 掺杂工艺
- 杂质半导体中多数载流子浓度主要取决于________。 A: 温度 B: 半导体材料 C: 掺入杂质浓度 D: 制造工艺