在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( )
A: 温度
B: 光照
C: 掺入杂质的数量
D: 本征激发的程度
A: 温度
B: 光照
C: 掺入杂质的数量
D: 本征激发的程度
C
举一反三
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 掺入杂质浓度 C: 本征激发 D: 杂质类型
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要决定于；而少数载流子的浓度与 密切相关。（ ） A: 掺入的杂质半导体；温度 B: 温度；掺入的杂质半导体 C: 温度；温度 D: 掺入的杂质半导体；掺入的杂质半导体
- 半导体中的多数载流子是 形成的。 A: 掺入杂质 B: 本征激发
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于 。 A: 杂质浓度 B: 温度 C: 本征半导体 D: 掺杂工艺
- 杂质半导体中多数载流子浓度主要取决于________。 A: 温度 B: 半导体材料 C: 掺入杂质浓度 D: 制造工艺
内容
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杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 掺入杂质元素的多少 C: 掺杂工艺 D: 晶格缺陷
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杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 掺入杂质元素的多少 C: 掺杂工艺 D: 晶格缺陷
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杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂浓度，少数载流子的数量取决于温度。
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杂质半导体中，多子数量取决于（）。 A: 温度 B: 本征激发 C: 掺杂浓度 D: 半导体类型
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杂质半导体中多数载流子浓度取决于（），少数载流子浓度取于（） A: 反向电压的大小 B: 掺入杂质的浓度 C: 制作时间 D: 环境温度