在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要决定于；而少数载流子的浓度与 密切相关。（ ）
A: 掺入的杂质半导体；温度
B: 温度；掺入的杂质半导体
C: 温度；温度
D: 掺入的杂质半导体；掺入的杂质半导体
A: 掺入的杂质半导体；温度
B: 温度；掺入的杂质半导体
C: 温度；温度
D: 掺入的杂质半导体；掺入的杂质半导体
A
举一反三
内容
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在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（） A: 掺入杂质的浓度 B: 材料 C: 温度
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( ) A: 温度 B: 光照 C: 掺入杂质的数量 D: 本征激发的程度
- 2
在杂质半导体中,少子浓度主要取决于() A: 掺入杂质的浓度 B: 材料 C: 温度 D: 质量
- 3
P型半导体中（ ）是少子，少子数目主要决定于（ ） A: 空穴，温度 B: 空穴，掺入杂质的原子浓度 C: 电子 ，温度 D: 电子，掺入杂质的原子浓度
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以下哪种情况下，半导体为N型的？? 本征半导体中掺入施主杂质。|半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度。|半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度。|本征半导体中掺入受主杂质。