杂质半导体中多数载流子的浓度与什么因素有关（ ）
A: 温度
B: 掺入杂质的浓度
C: 半导体材料类型
A: 温度
B: 掺入杂质的浓度
C: 半导体材料类型
举一反三
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要决定于；而少数载流子的浓度与 密切相关。（ ） A: 掺入的杂质半导体；温度 B: 温度；掺入的杂质半导体 C: 温度；温度 D: 掺入的杂质半导体；掺入的杂质半导体
- 杂质半导体中多数载流子浓度主要取决于________。 A: 温度 B: 半导体材料 C: 掺入杂质浓度 D: 制造工艺
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 掺入杂质浓度 C: 本征激发 D: 杂质类型
- 在杂质半导体中少数载流子的数量主要与 有关。(a.掺杂浓度、b.温度) A: 掺杂浓度 B: 温度 C: 半导体材料类型 D: 杂质材料类型
- 在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（） A: 掺入杂质的浓度 B: 材料 C: 温度