在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）
A: 掺入杂质的浓度
B: 材料
C: 温度
A: 掺入杂质的浓度
B: 材料
C: 温度
举一反三
- 在杂质半导体中,少子浓度主要取决于() A: 掺入杂质的浓度 B: 材料 C: 温度 D: 质量
- 杂质半导体中少子浓度主要取决于( )。 A: 掺入的杂质数量 B: 环境温度 C: 掺杂工艺 D: 晶体结构
- P型半导体中（ ）是少子，少子数目主要决定于（ ） A: 空穴，温度 B: 空穴，掺入杂质的原子浓度 C: 电子 ，温度 D: 电子，掺入杂质的原子浓度
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要决定于；而少数载流子的浓度与 密切相关。（ ） A: 掺入的杂质半导体；温度 B: 温度；掺入的杂质半导体 C: 温度；温度 D: 掺入的杂质半导体；掺入的杂质半导体
- 杂质半导体中，少子的浓度主要取决于（ ）