杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。
A: 温度
B: 掺入杂质元素的多少
C: 掺杂工艺
D: 晶格缺陷
A: 温度
B: 掺入杂质元素的多少
C: 掺杂工艺
D: 晶格缺陷
B
举一反三
- 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 掺入杂质元素的多少 C: 掺杂工艺 D: 晶格缺陷
- 杂质半导体中多数载流子浓度主要取决于________。 A: 温度 B: 半导体材料 C: 掺入杂质浓度 D: 制造工艺
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A: 掺杂工艺 B: 杂质浓度 C: 晶体缺陷 D: 温度
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要决定于；而少数载流子的浓度与 密切相关。（ ） A: 掺入的杂质半导体；温度 B: 温度；掺入的杂质半导体 C: 温度；温度 D: 掺入的杂质半导体；掺入的杂质半导体
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。 A: 晶体缺陷 B: 温度 C: 杂质浓度 D: 掺杂工艺
内容
- 0
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于 。 A: 杂质浓度 B: 温度 C: 本征半导体 D: 掺杂工艺
- 1
在掺杂半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( );而少数载流子的浓度则主取决温度。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 掺杂浓度 D: 晶体缺陷
- 2
杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂浓度，少数载流子的数量取决于温度。
- 3
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数载流子的浓度则与( )有很大关系。 A: 掺杂工艺、杂质浓度 B: 晶体缺陷、温度 C: 杂质浓度、温度 D: 掺杂工艺、温度
- 4
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 掺入杂质浓度 C: 本征激发 D: 杂质类型