4.7 湿法刻蚀的刻蚀槽中加入的化学试剂有
氢氟酸硝酸硫酸
举一反三
- 干法刻蚀和湿法刻蚀二者中，通常（）的刻蚀选择比较高，（）的刻蚀通常是各向异性。 A: 湿法刻蚀 干法刻蚀 B: 干法刻蚀 湿法刻蚀 C: 湿法刻蚀 湿法刻蚀 D: 干法刻蚀 干法刻蚀
- （）的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 化学刻蚀 D: 物理刻蚀
- 中国大学MOOC: 刻蚀的方法有两类：湿法刻蚀和干法刻蚀，其中，（）是利用液体化学试剂以化学形式除去硅片表面材料。而（）是利用等离子体辅助来进行刻蚀的技术，刻蚀反应中不涉及液体。
- SiO2的湿法刻蚀溶液中加入 物质，可以减缓刻蚀速率。
- 刻蚀根据是否采用化学溶液分为 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 溅射刻蚀
内容
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刻蚀按照刻蚀方向性有各向同性刻蚀和______ 两种；按照刻蚀手段又有湿法刻蚀和______ 两种
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刻蚀可以通过化学或物理步骤选择性移除晶圆表面材料，在湿法刻蚀、干法刻蚀、等离子体刻蚀和激光刻蚀工艺中，（ ）因底切效应无法用于刻蚀小于3μm的图形。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 激光刻蚀
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通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。
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以下刻蚀方法中，不属于各向同性的刻蚀是（）。 A: 湿法刻蚀 B: 溅射刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 反应离子刻蚀
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两种刻蚀方法中,属于各向同性刻蚀的是: A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 离子刻蚀 D: 溅射刻蚀