在PN结的扩散运动中,P型半导体中载流子( ) 向N区进行扩散。
A: 空穴
B: 自由电子
C: 杂质
A: 空穴
B: 自由电子
C: 杂质
举一反三
- PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
- 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。 A: 自由电子，空穴；扩散，飘移 B: 空穴，自由电子；漂移，扩散 C: 空穴，自由电子；扩散，漂移 D: 自由电子，空穴；漂移，扩散 E: 自由电子，空穴；扩散，扩散
- 半导体P-N结的扩散，正确的描述是：（ ） A: N区的电子向P区扩散 B: N区的空穴向P区扩散 C: P区的电子向N区扩散 D: P区的空穴向N区扩散
- 平衡PN结形成的过程中（） A: P区电子向N区扩散，N区空穴向P区扩散 B: 会形成从P区指向N区的自建电场 C: 电子是在自建电场作用下向N区漂移 D: 平衡PN结空间电荷区的形成时载流子扩散与漂移运动都消失了
- PN结形成初期，从N型半导体向P型半导体扩散的粒子是 A: 自由电子 B: 空穴 C: 硅原子 D: 空间电荷