PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
举一反三
- 在PN结的扩散运动中,P型半导体中载流子( ) 向N区进行扩散。 A: 空穴 B: 自由电子 C: 杂质
- PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由（ ）区向（ ）区进行扩散，N型半导体中的多数载流了由（ ）区向（ ）区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个（ ），其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的( )起削弱作用,对少子的( )起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，( )形成。
- 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。 A: 自由电子，空穴；扩散，飘移 B: 空穴，自由电子；漂移，扩散 C: 空穴，自由电子；扩散，漂移 D: 自由电子，空穴；漂移，扩散 E: 自由电子，空穴；扩散，扩散
- PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 区向 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 区向 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 区，其方向由 区指向 区。空间电荷区的建立，对多数载流子的 起削弱作用,对少子的 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， 形成
- N型半导体中多数载流子是 ；P型半导体中多数载流子是 。 A: 自由电子、空穴 B: 空穴、自由电子 C: 自由电子 D: 空穴