PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由（ ）区向（ ）区进行扩散，N型半导体中的多数载流了由（ ）区向（ ）区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个（ ），其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的( )起削弱作用,对少子的( )起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，( )形成。
举一反三
- PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 区向 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 区向 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 区，其方向由 区指向 区。空间电荷区的建立，对多数载流子的 起削弱作用,对少子的 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， 形成
- PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
- 平衡PN结形成的过程中（） A: P区电子向N区扩散，N区空穴向P区扩散 B: 会形成从P区指向N区的自建电场 C: 电子是在自建电场作用下向N区漂移 D: 平衡PN结空间电荷区的形成时载流子扩散与漂移运动都消失了
- 空间电荷区产生由N区指向P区的电场称为____,它阻碍多数载流子的扩散,但它有利于少数载流子穿过PN结。
- 在PN结的扩散运动中,P型半导体中载流子( ) 向N区进行扩散。 A: 空穴 B: 自由电子 C: 杂质