对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（）的非平衡载流子电荷。
A: P型中性区
B: N型中性区
C: N型势垒区
D: P型势垒区
A: P型中性区
B: N型中性区
C: N型势垒区
D: P型势垒区
举一反三
- 突变pn结内部，载流子浓度和最低的地方是（）。 A: 势垒区边缘 B: 势垒区中部 C: 中性区 D: 扩散区
- PN结势垒区电势最低的位置是（ ）。 A: 靠近P区的势垒区边界 B: 靠近N区的势垒区边界 C: PN结界面处 D: 电势处处相等
- PN结势垒区电势最低的位置是（ ）。 A: 靠近P区的势垒区边界 B: 靠近N区的势垒区边界 C: PN结界面处 D: 电势处处相等
- 关于PN结的电容效应，说法正确的是 A: 当PN结外加电压发生变化时，会引起空间电荷区正负电荷数目的变化，这种电容效应称为PN结的势垒电容 B: 当外加正向偏压增加时，将有一部分电子和空穴“存入”势垒区，相当于对势垒区“充电” C: 由电荷在扩散区存储所形成的电容称为PN结的扩散电容 D: 正向电压增加时，正向电流增大，有较多的非平衡载流子在扩散区中积累起来，相当于对扩散区“充电”
- 一个硅pn结，载流子的净产量将存在于：（）。 A: 平衡pn结的势垒区中 B: 正向pn结的势垒区中 C: 反向pn结的势垒区中 D: 正向pn结的扩散区中