突变pn结内部，载流子浓度和最低的地方是（）。
A: 势垒区边缘
B: 势垒区中部
C: 中性区
D: 扩散区
A: 势垒区边缘
B: 势垒区中部
C: 中性区
D: 扩散区
举一反三
- 一个硅pn结，载流子的净产量将存在于：（）。 A: 平衡pn结的势垒区中 B: 正向pn结的势垒区中 C: 反向pn结的势垒区中 D: 正向pn结的扩散区中
- PN结势垒区电势最低的位置是（ ）。 A: 靠近P区的势垒区边界 B: 靠近N区的势垒区边界 C: PN结界面处 D: 电势处处相等
- PN结势垒区电势最低的位置是（ ）。 A: 靠近P区的势垒区边界 B: 靠近N区的势垒区边界 C: PN结界面处 D: 电势处处相等
- 对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（）的非平衡载流子电荷。 A: P型中性区 B: N型中性区 C: N型势垒区 D: P型势垒区
- pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。