绝大多数半导体器件都工作在（ ）。
A: 本征激发区
B: 强电离区
C: 过渡区
D: 弱电离区
A: 本征激发区
B: 强电离区
C: 过渡区
D: 弱电离区
举一反三
- 一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度,这是因为载流子浓度主要来源于_________,而将_________忽略不计。( ) A: 杂质电离,本征激发 B: 本征激发,杂质电离 C: 施主电离,本征激发 D: 本征激发,受主电离
- 某N型掺杂Si材料，其费米能级随温度而发生变化。其费米能级最高的位置对应的温度区间为： A: 低温弱电离区 B: 中等电离区 C: 过渡区 D: 本征区
- 某N型掺杂Si材料，其费米能级随温度而发生变化。其费米能级最高的位置对应的温度区间为： A: 低温弱电离区 B: 饱和电离区 C: 过渡区 D: 本征区
- 关于“载流子浓度随温度的变化”，以下说法正确的是： A: 低温区，载流子浓度随温度按指数规律变化 B: 强电离区，载流子浓度不随温度变化 C: 本征激发区，载流子浓度随温度按指数规律变化 D: 强电离区，载流子浓度随温度按指数规律变化 E: 本征激发区，载流子浓度不随温度变化 F: 低温区，载流子浓度不随温度变化
- 一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。 A: 杂质电离，木征激发 B: 木征激发，杂质电离 C: 施主电离，木征激发 D: 木征激发，受主电离