关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入! 2022-06-19 对于NMOSFET来说,降低半导体衬底的掺杂浓度,可以使亚阈值摆幅( ) A: 减小 B: 增大 C: 不变 对于NMOSFET来说,降低半导体衬底的掺杂浓度,可以使亚阈值摆幅( )A: 减小B: 增大C: 不变 答案: 查看 举一反三 对于实际NMOSFET来说,亚阈值摆幅随沟道长度减小而( ) A: 增大 B: 减小 C: 不变 ()会使亚阈值摆幅变小 A: 缩短沟道长度 B: 减小沟道宽度 C: 减小氧化层厚度 D: 提高衬底掺杂浓度 抗穿通离子注入工艺对NMOSFET亚阈值摆幅的主要影响是使其( ) A: 减小 B: 增加 C: 不变 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅:( )。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度 NMOSFET沟道长度很短时,沟道内等势线的弯曲导致半导体衬底的有效掺杂浓度() A: 升高 B: 降低 C: 不变 D: 无法确定