窄沟道效应导致NMOSFET阈值电压增大。 A: 对 B: 错 C: 视情况而言

DIBL效应导致NMOSFET的阈值电压（ ） A: 变小 B: 变大 C: 不变 D: 不确定

作为放大器件工作时，耗尽型NMOSFET的栅源电压能用正向偏置。

下面关于MOSFET开启电压，说法正确的是_________。 A: 增强型NMOSFET开启电压为负 B: 耗尽型NMOSFET开启电压为正 C: 增强型PMOSFET开启电压为负 D: 耗尽型PMOSFET开启电压为正

‌下面关于MOSFET开启电压，说法正确的是_________。​ A: 增强型NMOSFET开启电压为负 B: 耗尽型NMOSFET开启电压为正 C: 增强型PMOSFET开启电压为负 D: 耗尽型PMOSFET开启电压为正

对于实际NMOSFET来说，亚阈值摆幅随沟道长度减小而（ ） A: 增大 B: 减小 C: 不变

以下哪一项不利于增加NMOSFET的阈值电压( ) A: 增加SiO2的厚度 B: 向沟道掺入B C: Wm

离子注入调节阈值电压时，注入B离子对NMOSFET和PMOSFET的阈值电压偏移方向的影响是一样的。

中国大学MOOC: 衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在_______

抗穿通离子注入工艺对NMOSFET亚阈值摆幅的主要影响是使其（ ） A: 减小 B: 增加 C: 不变