增加集电区掺杂浓度NC对特征频率fT和集电结击穿电压BVCB的影响是：
A: 使得fT增加、BVCB增加；
B: 使得fT增加、BVCB减小；
C: 使得fT减小、BVCB减小；
D: 使得fT减小、BVCB增加；
A: 使得fT增加、BVCB增加；
B: 使得fT增加、BVCB减小；
C: 使得fT减小、BVCB减小；
D: 使得fT减小、BVCB增加；
举一反三
- 提高特征频率fT的主要技术途径包括： A: 减小发射结面积AE； B: 减小集电结面积AC； C: 减小基区宽度xB； D: 减小集电区掺杂浓度NC；
- 晶体管最高振荡频率fm与特征频率fT关系正确的是（）。 A: fm＜fT B: fm＞fT C: fm=fT D: fm与fT的关系不能确定
- 三极管的特征频率fT与三极管的工作频率f0、电流放大倍数β之间的关系是（ ） A: fT=f0*β B: fT=f0/β C: fT=f0+β
- BJT的共射截止频率fβ和特征频率fT的关系为 A: fβ > fT B: fβ < fT C: fT=β0×fβ D: 没有关系
- 尖前缘、大后掠翼面在不大迎角下会产生一对稳定的漩涡，使上翼面负压 ，使得升力 。 A: 增加，增加 B: 增加，减小 C: 减小，增加 D: 减小，减小