提高特征频率fT的主要技术途径包括：
A: 减小发射结面积AE；
B: 减小集电结面积AC；
C: 减小基区宽度xB；
D: 减小集电区掺杂浓度NC；
A: 减小发射结面积AE；
B: 减小集电结面积AC；
C: 减小基区宽度xB；
D: 减小集电区掺杂浓度NC；
举一反三
- 增加集电区掺杂浓度NC对特征频率fT和集电结击穿电压BVCB的影响是： A: 使得fT增加、BVCB增加； B: 使得fT增加、BVCB减小； C: 使得fT减小、BVCB减小； D: 使得fT减小、BVCB增加；
- 下面哪种措施不能提高双极型晶体管的开关速度： A: 减小集电区的掺杂浓度 B: 在集电区引入产生-复合中心 C: 减小集电区宽度 D: 减小基区宽度
- 要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（ ）。 A: 增大基区掺杂浓度 B: 减小基区掺杂浓度 C: 增大基区宽度 D: 减小基区宽度
- 以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（ ）。 A: 采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb B: 降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子 C: 减小发射结和集电结面积以减小电容 D: 适当降低集电区电阻率和厚度
- 以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（ ）。 A: 采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb B: 降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子 C: 减小发射结和集电结面积以减小电容 D: 适当降低集电区电阻率和厚度