关于PN结说法不正确的是（）
A: 平衡PN结中P型半导体一侧的空间电荷区中是由受主杂质离子构成
B: 正向电压作用下PN结电容以扩散电容为主，反向电压作用下PN结电容以势垒电容为主
C: 一般说来，PN结的击穿电压越大越好，开关时间越短越好
D: PN结始终具有整流特性
A: 平衡PN结中P型半导体一侧的空间电荷区中是由受主杂质离子构成
B: 正向电压作用下PN结电容以扩散电容为主，反向电压作用下PN结电容以势垒电容为主
C: 一般说来，PN结的击穿电压越大越好，开关时间越短越好
D: PN结始终具有整流特性
举一反三
- 正向电压作用下PN结电容以扩散电容为主，反向电压作用下PN结电容以势垒电容为主。
- 正向电压作用下PN结电容以 为主，反向电压作用下PN结电容以 为主。 A: 势垒电容，势垒电容 B: 势垒电容，扩散电容 C: 扩散电容，扩散电容 D: 扩散电容，势垒电容
- 关于PN结，说法不正确的是 A: PN结始终具有整流特性 B: 平衡PN结中，N型半导体一侧的空间电荷 区是由施主杂质离子构成的 C: 正向电压作用下，PN结电容以扩散电容为主( D: PN结中自建电场的方向是由N区指向P区
- 5、正向电压作用下PN结电容以扩散电容为主，反向电压作用下PN结电容以势垒电容为主。 A: 正确 B: 错误
- 5、正向电压作用下PN结电容以扩散电容为主，反向电压作用下PN结电容以势垒电容为主。 A: 正确 B: 错误