碲化镉薄膜材料的禁带宽度是（ ）eV。
A: 1.35
B: 1.40
C: 1.50
D: 1.45
A: 1.35
B: 1.40
C: 1.50
D: 1.45
举一反三
- 以下因素不会对碲化镉薄膜太阳能电池的性能产生显著影响的是（ ）。 A: 晶界的激活与钝化 B: 碲化镉薄膜背接触的制备 C: 碲化镉薄膜掺杂率的控制 D: 碲化镉薄膜中Na的有效掺杂
- 常见无机化合物薄膜电池材料有哪些？ A: 铜铟镓硒 B: 铜锌锡硫 C: 砷化镓 D: 碲化镉
- （ ）不属于薄膜太阳能电池。 A: 聚合物电池 B: 砷化镓太阳能电池 C: 晶硅太阳能电池 D: 碲化镉太阳能电池
- 半导体材料硅（Si）的禁带宽度是（ ）？ A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV
- 2. 硅的禁带宽度是 ______ eV，锗的禁带宽度 ______ eV。