硅二极管导通和截止的条件是（）。
A: AVD>0.5V，VD<0.7V
B: BVD>0.7V，VD<0.5V
C: CVD>0.7V，VD<0.7V
D: DVD>0.5V，VD<0.5V
A: AVD>0.5V，VD<0.7V
B: BVD>0.7V，VD<0.5V
C: CVD>0.7V，VD<0.7V
D: DVD>0.5V，VD<0.5V
D
举一反三
- 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） A: 0. 1V B: 0.7 V C: 0.3 V D: 0.5V
- 硅二极管正向导通时，其两端电压约为（ ）V A: 0V B: 0.2V C: 0.7V D: 0.5V
- 2.4.6锗二极管导通时的正向压降约为V，硅二极管导通时的正向压降约为V。 A: 0.7, 0.2 B: 0.2, 0.7 C: 0.1, 0.5 D: 0.5, 0.9
- 2.4.1硅材料二极管的死区电压___V，锗材料二极管的死区电压为___V。 A: 0.2, 0.7 B: 0.7, 0.2 C: 0.5， 0.1 D: 0.1, 0.5
- 硅二极管的导通电压约为（ ）V。 A: 0.3 B: 0.5 C: 0.6 D: 0.7
内容
- 0
三极管饱和导通状态下，Vce=（）V。 A: 0.5V B: 0.3V C: 0.7V D: 视通过的电流情况而定
- 1
硅二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V,锗二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V。 A: 1.4<br/>V,1V B: 1<br/>V,1.4V C: 0.7<br/>V,0.2<br/>V D: 0.2<br/>V,0.7<br/>V
- 2
常用的二极管为硅二极管,其导通电压约为()V。 A: 0.5 B: 0.7 C: 2 D: 3.3
- 3
硅二极管的正向导通电压约为()V A: 0 B: 0.7 C: 0.2 D: 0.5
- 4
硅二极管的死区电压约为（ ）V。 A: 0.3 B: 0.4 C: 0.5 D: 0.7