硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（）
A: 0. 1V
B: 0.7 V
C: 0.3 V
D: 0.5V
A: 0. 1V
B: 0.7 V
C: 0.3 V
D: 0.5V
B
举一反三
- 2.4.6锗二极管导通时的正向压降约为V，硅二极管导通时的正向压降约为V。 A: 0.7, 0.2 B: 0.2, 0.7 C: 0.1, 0.5 D: 0.5, 0.9
- 导通以后，二极管两端的正向电压可近似地认为是导通时的管压降，硅管约为( )V，锗管约为（ ）伏。 A: 0.7、0.3 B: 0.3、0.7 C: 0.5、0.5 D: 0.5、0.2
- 硅二极管导通时的正向压降约为____V,锗二极管导通时的正向压降约为____V。
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 硅二极管的正向导通压降约为()V。 A: 0.3 B: 0.5 C: 0.7 D: 0.9
内容
- 0
硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） A: 0.7 B: 1 C: 0.3 D: 5
- 1
在常温下，硅二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；锗二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；发光二极管饱和导通后正向压降约为（__）V。
- 2
硅二极管的正向导通压降大约是( )。 A: 0.7 V B: 0.2 V C: 0.3 V D: 1.4 V
- 3
硅二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V,锗二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V。 A: 1.4<br/>V,1V B: 1<br/>V,1.4V C: 0.7<br/>V,0.2<br/>V D: 0.2<br/>V,0.7<br/>V
- 4
二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V