GTR的主要缺点之一是（ ）。
A: A.开关时间长
B: B.高频特性差
C: C.通态压降大
D: D.有二次击穿现
A: A.开关时间长
B: B.高频特性差
C: C.通态压降大
D: D.有二次击穿现
举一反三
- GTR的主要缺点是 。 A: 开关时间长 B: 高频特性差 C: 通态压降大 D: 有二次击穿现象
- IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，（）是它的特性。 A: 功率小 B: 开关频率低 C: 通态压降高 D: 损耗功率大
- GTR优点（ ）。 A: 耐压高，电流大，开关特性好 B: 通流能力强，饱和压降低 C: 通态压降较低，输入阻抗高 D: 为电压驱动，驱动功率小
- 在直流斩波电路中，改变开关管在一个开关周期Ts中的导通时间ton，即改变( )。A.开关时间 B.升降比例 C.导通占空比D D.频率 A: 开关时间 B: 升降比例 C: 导通占空比 D: 频率
- 【单选题】1、 有关 GTR 的二次击穿现象表述正确的是: A. 虽然 GTR存在二次击穿现象，但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。 B. GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。 C. GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关