既具备大功率晶体管GTR通态压降小、载流密度大、耐压高的特点，又拥有功率MOSFET驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点的器件是
A: MOS
B: IGBT
C: 晶闸管
D: 二级管
A: MOS
B: IGBT
C: 晶闸管
D: 二级管
举一反三
- GTR优点（ ）。 A: 耐压高，电流大，开关特性好 B: 通流能力强，饱和压降低 C: 通态压降较低，输入阻抗高 D: 为电压驱动，驱动功率小
- IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，（）是它的特性。 A: 功率小 B: 开关频率低 C: 通态压降高 D: 损耗功率大
- 电力场效应管MOSFET与电力晶体管GTR比较具有如下特点，即（） A: 驱动功率大 B: 驱动功率小 C: 开关速度快 D: 开关速度慢 E: 热稳定性好 F: 热稳定性差
- IGBT优点（ ）。 A: 开关速度高，开关损耗小 B: 具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低 C: 工作频率高，不存在二次击穿问题 D: 输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小
- IGBT既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路复杂的优点，又有通态电压低、耐压高的优点。