IGBT是MOSFET与GTR复合而成的。（ ）
举一反三
- IGBT管是由（ ）器件和（ ）器件复合而成。 A: MOSFET B: GTO C: GTR D: MCT
- 绝缘栅双极晶体管IGbT是一种复合型器件，它是由复合而成的（） A: GTR和MOSFET B: GTR和GTO C: GTO和MOSFET D: S
- IGBT管是由（ ）器件和（ ）器件复合而成。 A: GTR B: GTO C: MCT D: POWER MOSFET
- 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是 和 复合而成。 A: GTR B: MOSFET C: GTO D: SCR
- 对IGBT下列说法正确的是（） A: IGBT是MOSFET和GTR复合的产物 B: IGBT是MOSFET和GTO复合的产物 C: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。 D: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性