对IGBT下列说法正确的是（）
A: IGBT是MOSFET和GTR复合的产物
B: IGBT是MOSFET和GTO复合的产物
C: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。
D: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
A: IGBT是MOSFET和GTR复合的产物
B: IGBT是MOSFET和GTO复合的产物
C: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。
D: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
举一反三
- IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，（）是它的特性。 A: 功率小 B: 开关频率低 C: 通态压降高 D: 损耗功率大
- 在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中,开关速度最快的是 () A: MOSFET B: GTO C: IGBT D: GTR
- 电力电子器件（Power MOSFET,GTO,IGBT,GTR）中，电流容量最大的是（），开关频率最高的是（） A: GTO, Power MOSFET B: IGBT, GTO C: GTR, GTO D: GTO, IGBT
- 下列全控型器件中属于电流驱动型器件的是（ ） A: GTR，MOSFET B: GTO，GTR C: MOSFET，IGBT D: IGBT，IGCT
- IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?