关于IGBT，说法正确的是：
A: 该管是Mosfet和GTR的复合管；
B: 该管所有性能都比Mosfet和GTR都要好；
C: 该管开关速度比Mosfet慢；
D: 同等功率下，该管导通时管压降比Mosfet小；
A: 该管是Mosfet和GTR的复合管；
B: 该管所有性能都比Mosfet和GTR都要好；
C: 该管开关速度比Mosfet慢；
D: 同等功率下，该管导通时管压降比Mosfet小；
举一反三
- 对IGBT下列说法正确的是（） A: IGBT是MOSFET和GTR复合的产物 B: IGBT是MOSFET和GTO复合的产物 C: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。 D: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
- IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，（）是它的特性。 A: 功率小 B: 开关频率低 C: 通态压降高 D: 损耗功率大
- 在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中,开关速度最快的是 () A: MOSFET B: GTO C: IGBT D: GTR
- 同等功率下，下面哪种器件的开关速度最快： A: IGBT B: MOSFET C: GTR D: SCR
- IGBT管是由（ ）器件和（ ）器件复合而成。 A: MOSFET B: GTO C: GTR D: MCT