关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-19 MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。 A: 正确 B: 错误 MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。A: 正确B: 错误 答案： 查看 举一反三 MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。 中国大学MOOC: MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（ ）。 A: 饱和漏源电压正比于沟道长度 L B: 阈值电压随L 的缩短而减小 C: 饱和漏极电流与沟道长度L无关 D: 跨导与沟道长度 L 不再有关 N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。 A: 正确 B: 错误 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为零，器件截止。
