• 2022-06-19
    MOSFET发生速度饱和之后,以下哪些物理量将与沟道长度不相关:()。
  • 跨导饱和漏极电流

    内容

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      以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流:( )。 A: 增加沟道长度 B: 减小栅氧化层厚度 C: 减小沟道宽度 D: 提高阈值电压

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      中国大学MOOC: 当MOSFET的沟道长度、各种横向和纵向尺寸都按照缩小因子K等比例缩小时,以下哪些物理量将缩小K倍。( )

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      以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流:( )。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高

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      在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。

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      什么是MOSFET器件的线性区?什么是沟道夹断?什么是饱和工作状态?什么是沟道长度调制效应?