N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置()
A: vGS为正,vDS为负;
B: vGS为负,vDS为正;
C: vGS为正,vDS为正;
D: vGS为负,vDS为负。
A: vGS为正,vDS为负;
B: vGS为负,vDS为正;
C: vGS为正,vDS为正;
D: vGS为负,vDS为负。
举一反三
- P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- P沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS可正、可负、可为零,vDS为负; B: vGS可正、可负、可为零,vDS为正; C: vGS为正,vDS可正、可负、可为零; D: vGS为负,vDS可正、可负、可为零。
- N沟道结型场效应管工作在线性放大区时， （ ） A: VGS为正电压，VDS为正电压 B: VGS为正电压，VDS为负电压 C: VGS为负电压，VDS为正电压 D: VGS为负电压，VDS为负电压
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置
- N沟道结型场效应管工作在线性放大区时， VGS为（正/负）电压，VDS为（正/负）电压 A: 正，正 B: 正，负 C: 负，正 D: 负，负