N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置
vGS为正,vDS为正;
举一反三
- N沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置( )
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- P沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS可正、可负、可为零,vDS为负; B: vGS可正、可负、可为零,vDS为正; C: vGS为正,vDS可正、可负、可为零; D: vGS为负,vDS可正、可负、可为零。
- N沟道增强型场效应管开始导电时的栅源电压vGS称为___电压。
内容
- 0
中国大学MOOC: 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。
- 1
对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
- 2
对于N沟道增强型MOSFET，在正常工作时，栅源电压只能为正。
- 3
对于N沟道增强型MOSFET，在正常工作时，栅源电压只能为正。
- 4
电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为零，器件截止。