在常温下,硅二极管的门槛电压约为__ V,导通后在较大电流下的正向压降约为__ V锗二极管的门槛电压约为 __ V,导通后在较大电流下的正向压降约为___ V。
举一反三
- 在常温下,硅二极管的门槛电压约为__ V,导通后在较大电流下的正向压降约为__ V锗二极管的门槛电压约为 __ V,导通后在较大电流下的正向压降约为___ V。
- 在常温下，硅二极管的开启电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V
- 在常温下,硅二极管的开启电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V
- 常温下，硅二极管的开启电压（死区电压）约为v；导通后在较大电流下的正向电压约为v。锗二极管的开启电压（死区电压）约为v；导通后在较大电流下的正向电压约为v。
- 在常温下，硅二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；锗二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；发光二极管饱和导通后正向压降约为（__）V。