9. 对于MOSFET晶体管，以下哪种描述最有可能是正确的?
A: A．有三个端
B: B．只能用于数字集成电路
C: C．相对于bipolar晶体管，属于单极器件
D: D．ON态的时候，漏极电流ID主要由扩散电流组成
A: A．有三个端
B: B．只能用于数字集成电路
C: C．相对于bipolar晶体管，属于单极器件
D: D．ON态的时候，漏极电流ID主要由扩散电流组成
举一反三
- 双极型晶体管是电流控制器件，单极型晶体管是电压控制器件。 A: 正确 B: 错误
- 8. 以下参数中，对线性区的MOSFET场效应管的漏极电流影响最小的最有可能是哪一个？ A: A．栅极电压 B: B．栅氧化层厚度 C: C．漏极电压 D: D．晶体管在芯片中的所处位置
- 双极型晶体管是电流控制器件，单极型晶体管是电压控制器件。（ ）
- 以下哪种器件不属于电流驱动型器件?(<br/>) A: 晶闸管 B: 电力晶体管 C: MOSFET D: GTO
- 关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。 A: A相同功率的锗管反向漏电流大于硅管 B: BNPN管反向漏电流小于PNP管 C: C电压越高越大 D: DNPN管反向漏电流大于PNP管