导致MOSFET晶体管出现非零漏电导的因素不包括
A: 沟道长度调制效应
B: 漏电场静电反馈效应
C: 漏感应势垒降低
D: 亚表面穿通效应
A: 沟道长度调制效应
B: 漏电场静电反馈效应
C: 漏感应势垒降低
D: 亚表面穿通效应
举一反三
- 以下哪个因素导致NMOSFET阈值电压升高？ A: 源漏电荷分享 B: 窄沟道效应 C: 漏感应势垒降低效应 D: 载流子速度饱和效应
- MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。
- 以n沟增强型MOSFET为例，以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是（）。 A: 沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加 B: 沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低 C: 由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小 D: 沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似
- MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。 A: 正确 B: 错误
- 以下哪些为MOS管相关的二阶效应：①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应 A: ①②③④⑤⑥ B: ①②③④⑤ C: ①③④⑤⑥ D: ①②③⑤⑥