以下哪个因素导致NMOSFET阈值电压升高？
A: 源漏电荷分享
B: 窄沟道效应
C: 漏感应势垒降低效应
D: 载流子速度饱和效应
A: 源漏电荷分享
B: 窄沟道效应
C: 漏感应势垒降低效应
D: 载流子速度饱和效应
举一反三
- 以下哪些为MOS管相关的二阶效应：①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应 A: ①②③④⑤⑥ B: ①②③④⑤ C: ①③④⑤⑥ D: ①②③⑤⑥
- 中国大学MOOC: 以下哪些为MOS管相关的二阶效应：①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应
- 导致MOSFET晶体管出现非零漏电导的因素不包括 A: 沟道长度调制效应 B: 漏电场静电反馈效应 C: 漏感应势垒降低 D: 亚表面穿通效应
- 短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压 ，使PMOS器件的阈值电压 。 A: 升高；降低 B: 升高；升高 C: 降低；降低 D: 降低；升高
- 窄沟道效应导致NMOSFET阈值电压增大。 A: 对 B: 错 C: 视情况而言