MOS器件会受到氧化层中的电荷和SiO2-Si界面俘获陷阱的影响,所以MOS器件一般制作在111晶向上。
举一反三
- 为了减少固定电荷密度和快界面态的影响，制作MOS器件通常选择硅单晶的方向为（） A: [110] B: [100] C: [111] D: [101]
- 下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅 A: 减少衬底掺杂浓度 B: 减少SiO2/Si界面处的固定电荷密度 C: 减少氧化层厚度 D: 降低器件工作温度
- 为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（） A: 【100】 B: 【111】 C: 【110】 D: 【111】或【110】
- 为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（ ）。 A: [100] B: [111] C: [110] D: [101]
- 二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷