MOS器件会受到氧化层中的电荷和SiO2-Si界面俘获陷阱的影响,所以MOS器件一般制作在111晶向上。
错
举一反三
- 为了减少固定电荷密度和快界面态的影响，制作MOS器件通常选择硅单晶的方向为（） A: [110] B: [100] C: [111] D: [101]
- 下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅 A: 减少衬底掺杂浓度 B: 减少SiO2/Si界面处的固定电荷密度 C: 减少氧化层厚度 D: 降低器件工作温度
- 为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（） A: 【100】 B: 【111】 C: 【110】 D: 【111】或【110】
- 为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（ ）。 A: [100] B: [111] C: [110] D: [101]
- 二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷
内容
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下列哪个晶面的硅晶体的适合做MOS器件(<br/>)。 A: (100) B: (110) C: (210) D: (111)
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SiO2-Si界面中存在几种电荷？对器件性能有哪些影响？工艺上如何降低它们的密度？
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中国大学MOOC: MOS器件绝缘层中的可动电荷是（ ）
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MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？
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关于功率MOS器件,以下说法中正确的是:() A: 功率MOS器件也存在二次击穿现象。 B: 功率MOS器件不可能出现二次击穿。 C: 与功率BJT相比,功率MOS器件可承受高电压、大电流、开关速度快,适合高频工作。 D: 与功率BJT相比,功率MOS器件的输入阻抗极高。