为了减少固定电荷密度和快界面态的影响，制作MOS器件通常选择硅单晶的方向为（）
A: [110]
B: [100]
C: [111]
D: [101]
A: [110]
B: [100]
C: [111]
D: [101]
举一反三
- 为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（ ）。 A: [100] B: [111] C: [110] D: [101]
- 为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（） A: 【100】 B: 【111】 C: 【110】 D: 【111】或【110】
- 界面态密度随晶体取向而变，对于硅晶体，界面态密度按（ ）顺序而变。 A: （111）＜（100）＜（110） B: （100）＜（110）＜（111） C: （110）＜（100）＜（111） D: （101）＜（110）＜（111）
- MOS器件会受到氧化层中的电荷和SiO2-Si界面俘获陷阱的影响,所以MOS器件一般制作在111晶向上。
- Si-SiO2界面态密度最大的晶向是（ ）。 A: (111) B: (110) C: (100) D: 界面态密度与晶向无关