下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅
A: 减少衬底掺杂浓度
B: 减少SiO2/Si界面处的固定电荷密度
C: 减少氧化层厚度
D: 降低器件工作温度
A: 减少衬底掺杂浓度
B: 减少SiO2/Si界面处的固定电荷密度
C: 减少氧化层厚度
D: 降低器件工作温度
举一反三
- 下面哪种方式是不能够抑制MOS器件的GIDL电流 A: 减少栅极氧化层厚度 B: 减少硅表面缺陷密度 C: 减少漏极电压 D: 减少漏极掺杂浓度
- （）会使亚阈值摆幅变小 A: 缩短沟道长度 B: 减小沟道宽度 C: 减小氧化层厚度 D: 提高衬底掺杂浓度
- Si/SiO2系统中常见的四种电荷态，那种最影响亚阈值摆幅？ A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层固定电荷 C: 氧化层可动电荷 D: 氧化层辐照缺陷
- 为了减少固定电荷密度和快界面态的影响，制作MOS器件通常选择硅单晶的方向为（） A: [110] B: [100] C: [111] D: [101]
- 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（ ）。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度