下面哪种方式是不能够抑制MOS器件的GIDL电流
A: 减少栅极氧化层厚度
B: 减少硅表面缺陷密度
C: 减少漏极电压
D: 减少漏极掺杂浓度
A: 减少栅极氧化层厚度
B: 减少硅表面缺陷密度
C: 减少漏极电压
D: 减少漏极掺杂浓度
举一反三
- 下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅 A: 减少衬底掺杂浓度 B: 减少SiO2/Si界面处的固定电荷密度 C: 减少氧化层厚度 D: 降低器件工作温度
- 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。 A: 栅极电流 B: 栅极电压 C: 漏极电流 D: 漏极电压
- 场效应管是利用( )(栅极、漏极、源极)电压来控制( )(栅极、漏极、源极)电流大小的半导体器件
- 场效应管的原理是通过((______))()。 A: 栅极电流去控制漏极电流 B: 栅极电压去控制漏极电流 C: 栅极电流去控制漏极电压 D: 栅极电压去控制漏极电压。
- 场效应管工作原理的实质是（） A: 栅极电流对漏极电压控制作用 B: 栅极电压对漏极电压控制作用 C: 栅极电流对漏极电流控制作用 D: 栅极电压对漏极电流控制作用